半導体圧力ｾﾝｻ
【要約】
【課題】同一のダイアフラム径、同一設計ルールの回路パターンを維持しながらチップサイズを縮小しても、環境温度とセンサ出力との間における温度ヒステリシスの発生しない半導体圧力センサを提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体基板１３ａの一面の中央部に設けられる凹部により形成される薄膜のダイアフラム１２ａを有し、該ダイアフラム１２ａに対向する他面に形成されるＮ型島領域に形成されるｐ型領域であって圧力ゲージ１４ａを含むセンサ領域１１ａと、該センサ領域１１ａの外側の前記半導体基板１３ａに形成され、前記ダイアフラムで受けた外部圧力を変換した電気信号を増幅する回路を含む回路領域１０ａとを備える半導体圧力センサにおいて、前記回路領域１０ａが前記センサ領域の外側であってダイアフラム１２ａに対向する他面内に延在している半導体圧力センサとする。
【公開番号】
特開２００９−１９９７３（Ｐ２００９−１９９７３Ａ）
【公開日】
平成２１年１月２９日（２００９．１．２９）
【発明者】
【氏名】加藤 博文
【氏名】篠田 茂
【氏名】西川 睦雄
【氏名】上▲柳▼ 勝道
【出願番号】
特願２００７−１８２２９９（Ｐ２００７−１８２２９９）
【出願日】
平成１９年７月１１日（２００７．７．１１）
【出願人】
【識別番号】５０３３６１２４８
【氏名又は名称】富士電機デバイステクノロジー株式会社
【代理人】
【識別番号】１００１３３１６７
【弁理士】
【氏名又は名称】山本 浩
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
IPC：G01L（2009年）
